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PECVD系統是借助射頻使含(han)有(you)薄膜組成原子(zi)的氣體(ti)電離,在局部(bu)形成等(deng)離子(zi)體(ti),而等(deng)離子(zi)體(ti)化(hua)學活性很強,很容易發生反(fan)應,在基片上(shang)沉積出所期望的薄膜。
查看詳細介紹產品應(ying)用:該電(dian)爐(lu)采用紅外(wai)燈(deng)管加(jia)熱,通(tong)過滑動(dong)爐(lu)體(ti)實現快速(su)(su)降溫。應(ying)用于半導體(ti)或太陽能(neng)電(dian)池(chi)基片退(tui)(tui)火。也(ye)可用于快速(su)(su)熱退(tui)(tui)火、快速(su)(su)熱氧(yang)化、快速(su)(su)熱氮化、硅化物合(he)金退(tui)(tui)火、電(dian)極合(he)金化、氧(yang)化物生長、離子注入(ru)后(hou)退(tui)(tui)火、薄膜(mo)沉積(ji)等工藝試(shi)驗(yan) 。
查看詳細介紹操作便捷性(xing):抽氣(qi)(qi)口(kou)及氣(qi)(qi)路連接(jie)口(kou)采用(yong)(yong)KF式快速連接(jie)結構。簡化安裝過程,只需(xu)用(yong)(yong)卡(ka)箍便可完成連接(jie),方(fang)便操作 。
查看詳細介紹真空快(kuai)(kuai)速退火爐(lu)操作便(bian)(bian)捷,電熱(re)元件采用紅(hong)外燈(deng)管,升溫速度(du)快(kuai)(kuai),節(jie)省時間(jian),滑(hua)動法蘭(lan)使裝卸樣品(pin)過(guo)程(cheng)簡化,方便(bian)(bian)操作,可快(kuai)(kuai)速得到實驗結果,取(qu)消了反復的法蘭(lan)安裝過(guo)程(cheng),減少了爐(lu)管因安裝造(zao)成的損壞(huai)。
查看詳細介紹CVD管式(shi)爐設(she)備由(you)沉(chen)積溫度(du)控件(jian)、沉(chen)積反應室、真空控制部件(jian)和氣源(yuan)控制備件(jian)等部分組成亦可根據用(yong)(yong)戶需(xu)要(yao)設(she)計生產(chan),CVD系統除了主(zhu)要(yao)應用(yong)(yong)在(zai)碳納(na)米(mi)材料(liao)制備行業外(wai),現在(zai)正在(zai)使用(yong)(yong)在(zai)許多行業,包括納(na)米(mi)電子(zi)學、半導體、光電工程的研發、涂料(liao)等領(ling)域(yu)。
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