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PECVD系統是(shi)借助(zhu)射頻(pin)使含有薄膜(mo)組成原(yuan)子(zi)的氣(qi)體電離,在(zai)局部形成等離子(zi)體,而(er)等離子(zi)體化學活性很強,很容易發生反應,在(zai)基片上(shang)沉(chen)積出所(suo)期望的薄膜(mo)。
查看詳細介紹PECVD系(xi)統(tong)配置:1.1200度開(kai)啟式雙(shuang)溫區真(zhen)(zhen)空(kong)管(guan)式爐2.等離子射頻電源3.多(duo)路質量流量控制系(xi)統(tong)4.真(zhen)(zhen)空(kong)系(xi)統(tong)(可選配中(zhong)真(zhen)(zhen)空(kong)或高真(zhen)(zhen)空(kong))
查看詳細介紹PECVD系(xi)(xi)(xi)統(tong)是借助射頻使含有薄膜組(zu)成(cheng)(cheng)原(yuan)子的(de)氣體電離(li),在(zai)局部形成(cheng)(cheng)等離(li)子體,而等離(li)子體化(hua)學活性很強,很容易(yi)發生反(fan)應,在(zai)基(ji)片上(shang)沉積出所(suo)期望的(de)薄膜。集成(cheng)(cheng)型PECVD系(xi)(xi)(xi)統(tong)PECVD-12IH-500A、1200℃小(xiao)型PECVD系(xi)(xi)(xi)統(tong)PECVD-12IH-4Z/G
查看詳細介紹PECVD系(xi)(xi)(xi)統是借助射頻使含有薄(bo)膜(mo)組(zu)成(cheng)原子(zi)的氣體電(dian)離,在(zai)局部(bu)形成(cheng)等離子(zi)體,而等離子(zi)體化學活性(xing)很強,很容易發生反應,在(zai)基(ji)片上沉積出(chu)所期望(wang)的薄(bo)膜(mo)。集成(cheng)型(xing)PECVD系(xi)(xi)(xi)統PECVD-12IH-500A、1200℃小型(xing)PECVD系(xi)(xi)(xi)統PECVD-12IH-4Z/G
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