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PECVD系(xi)統配置：1.1200度開啟式雙溫(wen)區真(zhen)空(kong)(kong)管(guan)式爐2.等(deng)離(li)子射頻電源3.多路質(zhi)量(liang)流量(liang)控制(zhi)系(xi)統4.真(zhen)空(kong)(kong)系(xi)統（可選配中真(zhen)空(kong)(kong)或高真(zhen)空(kong)(kong)）

RTP快(kuai)速退火(huo)爐(lu)操(cao)作便捷，電熱元件采用紅外燈(deng)管，升(sheng)溫速度快(kuai)，節省時間，滑動法蘭(lan)(lan)使裝卸樣品(pin)過(guo)程簡化，方便操(cao)作，可快(kuai)速得(de)到實驗結果，取(qu)消了(le)反復的法蘭(lan)(lan)安裝過(guo)程，減少了(le)爐(lu)管因安裝造成的損(sun)壞。

CVD管式爐設備(bei)(bei)由沉積溫度(du)控(kong)件(jian)、沉積反應室、真空控(kong)制部(bu)(bu)件(jian)和氣源控(kong)制備(bei)(bei)件(jian)等(deng)部(bu)(bu)分組成亦可(ke)根據(ju)用(yong)戶需要設計生產，CVD系(xi)統除了主要應用(yong)在碳(tan)納米(mi)材料制備(bei)(bei)行業外(wai)，現在正(zheng)在使用(yong)在許(xu)多行業，包括納米(mi)電子(zi)學、半導體、光電工程的研發、涂料等(deng)領域。

產品(pin)用(yong)(yong)途：此款CVD系統(tong)適(shi)用(yong)(yong)于(yu)CVD工藝，如(ru)碳(tan)化硅鍍(du)膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構(gou)的可控(kong)生(sheng)長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒(shao)結真空淬火(huo)退(tui)火(huo)，快速降溫等工藝實驗。

產品用途：此款(kuan)CVD系統是(shi)專(zhuan)門為在金(jin)屬箔上生長薄膜而設(she)計，特(te)別(bie)是(shi)應用在新(xin)一代能源關于柔性金(jin)屬箔電極(ji)方(fang)面的研究，通過滑動爐(lu)實現(xian)快速加熱和冷卻。