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1200℃雙溫區CVD系統

更新時間: 2024-03-21

訪問次數: 5920

產品報價:

產品簡介: CVD管式爐設備(bei)由沉(chen)積溫度控件(jian)、沉(chen)積反應(ying)室、真空控制部件(jian)和(he)氣源控制備(bei)件(jian)等(deng)部分組成亦(yi)可根據用戶需要設計生(sheng)產,CVD系統除了主要應(ying)用在碳納(na)米材料(liao)制備(bei)行業外,現在正在使用在許多(duo)行業,包(bao)括納(na)米電(dian)(dian)子學、半導(dao)體、光電(dian)(dian)工(gong)程的研(yan)發、涂(tu)料(liao)等(deng)領域。

詳細資料:

此款CVD生(sheng)長系統適用(yong)于CVD工藝(yi),如(ru)碳化硅鍍膜、陶(tao)瓷(ci)基片導電率測(ce)試、ZnO納米結(jie)構(gou)的可(ke)控生(sheng)長、陶(tao)瓷(ci)電容(MLCC)氣氛燒結(jie)等實驗。

產品組成:

此款CVD系統配(pei)置(zhi):

1.1200度開啟(qi)式(shi)真空管式(shi)爐(可選配單溫區、雙溫區)。

2.多路(lu)質量流量控制系統

3.真空(kong)系統(可選配中真空(kong)或高真空(kong))

產品特點:

1 控(kong)制電(dian)路選用(yong)模糊PID程控(kong)技術,該技術控(kong)溫精度高,熱慣(guan)性小,溫度不(bu)過沖,性能可靠,操作簡單(dan)。

2 氣路快(kuai)速連接(jie)法蘭結(jie)構采用本公司*的知識(shi)產(chan)權設計(ji),提高操(cao)作便捷性。

3 中真空(kong)系統具有真空(kong)度上下限自(zi)動控制功能(neng),高(gao)真空(kong)系統采用高(gao)壓強(qiang),耐(nai)沖擊分子泵

防止意外(wai)漏氣(qi)造成分子(zi)泵(beng)損壞,延長系統使用壽命(ming)。

 

系統名稱

1200℃單/雙(shuang)溫區CVD系統

系統型號

CVD-12II-3Z/G

CVD-12II6-3Z/G

極限溫度

1200℃

加熱區長度

420mm

600mm

恒溫區長度

280mm

390mm

溫區

雙溫區

雙溫區

石英管管徑

Φ50/Φ60/Φ80mm

Φ80/Φ100mm

額定功率

3.2Kw

4.8Kw

額定電壓

220V

溫度控制

國產(chan)程(cheng)序(xu)(xu)控溫系統50段程(cheng)序(xu)(xu)控溫;

控制精度

±1℃

爐管極限工作溫度

<1200℃

氣路法蘭

密封(feng)法(fa)(fa)蘭(lan)與管(guan)件連接的(de)(de)地(di)方采用(yong)多環密封(feng)技(ji)術(shu),在(zai)密封(feng)法(fa)(fa)蘭(lan)與管(guan)外(wai)壁間形成了密封(feng),在(zai)管(guan)件外(wai)徑誤差較大的(de)(de)情況下密封(feng)仍(reng)然有效(xiao),該密封(feng)法(fa)(fa)蘭(lan)的(de)(de)安(an)裝(zhuang)只需(xu)在(zai)使用(yong)設備的(de)(de)時候安(an)裝(zhuang)

氣體控制方式

質量流量計

氣路數量

3路(可根(gen)據具體需要(yao)選(xuan)配氣(qi)路數量)

流量范圍

0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定

精度

±1%F.S

響應時間

≤4sec

工作溫度

5-45℃

工作壓力

進氣壓(ya)力0.05-0.3Mpa(表(biao)壓(ya)力)

系統連接方式

采用KF快速連接(jie)波(bo)紋管、高(gao)真空(kong)手動擋(dang)板閥及數顯真空(kong)測量儀

規格

高真空

系統真空范圍

1x10-3Pa-1x10-1Pa

真空泵

真空分(fen)子泵理(li)論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額(e)定電壓220V    功率2KW

真空分子泵理論(lun)極限真空度5x10-6Pa抽(chou)氣速度1600L/S額定(ding)電壓220V  功率(lv)2KW

 



 



爐體外形尺寸

340×580×555mm

480×770×605mm

系統外形尺寸

530x1440x750mm(不含(han)高真空)

系統總重量

330kg

 

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