CVD系統設備(bei)由沉(chen)積溫度控件、沉(chen)積反應(ying)室、真空控制部件和(he)氣源(yuan)控制備(bei)件等部分(fen)組成(cheng)亦可根據(ju)用戶需要設計生產，CVD系統除(chu)了主要應(ying)用在(zai)碳(tan)納米(mi)材料制備(bei)行業外(wai)，現在(zai)正在(zai)使用在(zai)許多行業，包括納米(mi)電子學、半導體、光電工(gong)程(cheng)的研發、涂(tu)料等領域

　　實驗機理：CVD成長系統是(shi)利用氣態化合物或化合物的混(hun)合物在基體受熱面上(shang)發(fa)(fa)生化學反應，從(cong)而在基體表面上(shang)生成不揮發(fa)(fa)涂(tu)層的一(yi)種薄膜材料制備系統

　　CVD系統產品的特點：

　　1 CVD系統兼容、常壓、微正壓多種(zhong)主流的生長模式(shi)

　　2 CVD系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意(yi)氣壓(ya)下進行石墨烯的生長

　　3 CVD系統使(shi)用(yong)計算機控制，可以設置(zhi)多種生長參數

　　4 CVD系統(tong)可以制(zhi)備高質量，大面積石(shi)墨烯等(deng)碳材料，尺(chi)寸可達數厘(li)米(mi)，研究動力學過程

　　5 CVD系統沉積效率高(gao);薄膜的(de)成分可控(kong)，配(pei)比范(fan)圍大;厚(hou)度范(fan)圍廣，由幾(ji)百(bai)埃至數毫米，可以實現厚(hou)膜沉積且能大量生產